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美国麻省理工学院（MIT）制作出沟道上使用单层石墨l烯的FET，并确认了其可在1.4GHz时倍频运行（演讲序号23.6）。而此前只限于在 40MHz以下工作。不使用滤波电路，而是以单个晶体管就证实了GHz频带下的倍频运行的成果是首次获得。目标是应用于面向无线通信系统的混合信号电路等。 MIT制作出的石墨烯FET在施加700MHz的交流电压时，会产生1.4GHz的交流输出。1.4GHz输出占全部输出的比例高达90％，输出的大半都有助于倍频运行。因此，易于在高频率的混合信号电路中使用。 石墨烯膜的形成，采用了以CVD法在铜箔上生成单层石墨烯，再经由树脂l基板将其转印到到基板上的方法。栅极绝缘膜为15nm厚的Al2O3，栅长为1.6μm。 MIT在此次演讲中，公布了使石墨烯FET在THz频率下运行的指针。据该研究小组推算，当栅长缩短至40nm，触点部分的电阻值减小至250Ω-μm，同时如果能实现2000～3000cm2/Vs的载流子迁移率，就有望实现1THz的倍频运行。因此，获得这种特性是“十分有可能的”（MIT的演l讲者）。 (责任编辑：www.gongwin.com) |
